SPN02N60C3 транзистор
арт. 600-100-26
Высоковольтный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом N-типа
Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD, SOT-223-4 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
600 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
20 |
|
Ток стока (макс.) id, ма |
400 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
3,9 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
2,5 |
|
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
1 800 |
|
Техническая документация |
Документ PDF |