SPN02N60C3 транзистор

арт. 600-100-26

0.67 BYN/шт
в наличии 500шт.
Высоковольтный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом N-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

SMD, SOT-223-4

Напряжение сток-исток (макс.) vds, в

600

Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в

20

Ток стока (макс.) id, ма

400

Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в

3,9

Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом

2,5

Рассеиваемая мощность pd, мвт

1 800

Техническая документация

Документ PDF