NTR4101PT1G транзистор
арт. 600-100-23
Краткое описание
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD, SOT-23-3 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
20 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
8 |
|
Ток стока (макс.) id, ма |
3 200 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
1,2 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0,112 |
|
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
730 |
|
Техническая документация |