IRF7811AVPBF транзистор
арт. 600-200-17
Мощный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом N-типа
Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD, SO-8 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
30 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
20 |
|
Ток стока (макс.) id, а |
10,8 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
3 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, мом |
14 |
|
Рассеиваемая мощность pd, вт |
3,5 |
|
Техническая документация |
Документ PDF |