IRF5210S транзистор

арт. 600-200-08

Мощный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

TO-252-3

Напряжение сток-исток (макс.) Vds, В

100

Напряжение затвор-исток (макс.) Vgs, В

20

Ток стока (макс.) Id, А

40

Напряжение переключения (макс.) Vgs (th), В

4

Сопротивление сток-исток (макс.) Rds, мОм

60

Рассеиваемая мощность Pd, Вт

3,8

Техническая документация

Документ PDF