поиск по нашему складу и складам партнеров

IRF5210S транзистор

арт. 600-200-08

2.45 BYN/шт
под заказ
Мощный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

TO-252-3

Напряжение сток-исток (макс.) vds, в

100

Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в

20

Ток стока (макс.) id, а

40

Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в

4

Сопротивление сток-исток (макс.) rds, мом

60

Рассеиваемая мощность pd, вт

3,8

Техническая документация

Документ PDF