FQP13N50 транзистор
арт. 600-200-01

Высоковольтный мощный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом N-типа
Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
TO-220-3 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
500 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
30 |
Ток стока (макс.) id, а |
12,5 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
5 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, мом |
430 |
Рассеиваемая мощность pd, вт |
170 |
Техническая документация |
Документ PDF |