FDS6576 транзистор

арт. 600-100-11

0.32 BYN/шт
в наличии 85шт.
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

SMD, SO-8

Напряжение сток-исток (макс.) Vds, В

20

Напряжение затвор-исток (макс.) Vgs, В

12

Ток стока (макс.) Id, мА

11 000

Напряжение переключения (макс.) Vgs (th), В

1,5

Сопротивление сток-исток (макс.) Rds, Ом

0,02

Рассеиваемая мощность Pd, мВт

2 500

Техническая документация

Документ PDF