поиск по нашему складу и складам партнеров

FDS6576 транзистор

арт. 600-100-11

0.32 BYN/шт
в наличии 85шт.
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

SMD, SO-8

Напряжение сток-исток (макс.) vds, в

20

Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в

12

Ток стока (макс.) id, ма

11 000

Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в

1,5

Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом

0,02

Рассеиваемая мощность pd, мвт

2 500

Техническая документация

Документ PDF