FDN352AP транзистор
арт. 600-100-32
MOSFET-транзистор с одиночным P-каналом
Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD,SSOT-3 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
30 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
25 |
|
Ток стока (макс.) id, ма |
1 300 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
2,5 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0,18 |
|
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
500 |
|
Техническая документация |
Документ PDF |