FDN352AP транзистор
арт. 600-100-32

MOSFET-транзистор с одиночным P-каналом
Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
SMD,SSOT-3 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
30 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
25 |
Ток стока (макс.) id, ма |
1 300 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
2,5 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0,18 |
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
500 |
Техническая документация |
Документ PDF |