поиск по нашему складу и складам партнеров

FDC638P транзистор

арт. 600-100-09

0.31 BYN/шт
в наличии 35шт.
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типа

Не нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!

Корпус

SMD, SSOT-6

Напряжение сток-исток (макс.) vds, в

20

Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в

12

Ток стока (макс.) id, ма

4 500

Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в

1,5

Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом

0,048

Рассеиваемая мощность pd, мвт

1 600

Техническая документация

Документ PDF