FDW252P транзистор
арт. 100-000-856CH
Краткое описание
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
SMD, TSSOP-8 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
20 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
12 |
Ток стока (макс.) id, ма |
8800 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
1.5 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0.018 |
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
1300 |
Техническая документация |