FDV301N транзистор
арт. 100-000-854CH
Краткое описание
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом N-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
SMD, SOT-23 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
25 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
8 |
Ток стока (макс.) id, ма |
220 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
1.06 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
5 |
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
350 |
Техническая документация |