IRF5210S транзистор
арт. 100-028-921CH
Краткое описание
Мощный MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
TO-252-3 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
100 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
20 |
Ток стока (макс.) id, ма |
40 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
4 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
60 |
Рассеиваемая мощность pd, вт |
3.8 |
Техническая документация |