FDC658AP транзистор
арт. 100-019-133CH
Краткое описание
MOSFET-транзистор с одиночным P-каналомНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD,SSOT-6 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
30 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
25 |
|
Ток стока (макс.) id, ма |
4000 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
3 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0.044 |
|
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
1600 |
|
Техническая документация |