SI2319DS-T1-E3 транзистор
арт. 100-001-287CH
Краткое описание
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
Корпус |
SMD, SOT-23-3 |
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
40 |
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
20 |
Ток стока (макс.) id, ма |
2300 |
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
3 |
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0.13 |
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
750 |
Техническая документация |