FDS6576 транзистор
арт. 100-000-852CH
Краткое описание
MOSFET-транзистор с индуцированным каналом P-типаНе нашли нужный компонент?
Сделайте индивидуальный заказ!
|
Корпус |
SMD, SO-8 |
|
Напряжение сток-исток (макс.) vds, в |
20 |
|
Напряжение затвор-исток (макс.) vgs, в |
12 |
|
Ток стока (макс.) id, ма |
11000 |
|
Напряжение переключения (макс.) vgs (th), в |
1.5 |
|
Сопротивление сток-исток (макс.) rds, ом |
0.02 |
|
Рассеиваемая мощность pd, мвт |
2500 |
|
Техническая документация |